系統(tǒng)基于廣義普朗克定律，創(chuàng)新性地將高精度PL成像成像轉(zhuǎn)化為QFLS成像。其直接反映器件內(nèi)部電子-空穴準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)劈裂的空間分布特性，是評(píng)估本征開(kāi)路電壓（Voc）潛力與電壓損失的核心物理量。

高分辨率QFLS和PLQE成像實(shí)測(cè)：

Fig. (a)準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂(QFLS)成像

系統(tǒng)通過(guò)激光共聚焦掃描（最高260 nm分辨率，100×油鏡(備注:ITO玻璃厚度小于0.1 mm)）與寬場(chǎng)成像（1.5 μm/pixel高分辨模式或4 μm/pixel常規(guī)模式），在亞微米尺度可實(shí)現(xiàn)電壓損失溯源，能夠精確定位材料缺陷、晶界或成分不均導(dǎo)致的Voc損失區(qū)域。同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)復(fù)合機(jī)制可視化，揭示非輻射復(fù)合中心的分布強(qiáng)度。

高分辨率QFLS和PLQE成像實(shí)測(cè)：

Fig. (b) 熒光量子效率(PLQE)成像; (c)Pl譜擬合

此外，該系統(tǒng)通過(guò)亞微米尺度的QFLS電壓損失分布圖（附高分辨率QFLS成像）、熒光壽命成像（附熒光壽命成像）及光電流收集效率圖譜（附光電流成像)，為薄膜沉積的結(jié)晶均勻性、鈍化處理的缺陷抑制效果提供原位、定量化反饋，實(shí)現(xiàn)“工藝參數(shù)→微觀結(jié)構(gòu)→光電性能"的全閉環(huán)優(yōu)化。

針對(duì)鈣鈦礦/硅疊層電池中子電池性能耦合難題，系統(tǒng)sc多波長(zhǎng)激發(fā)層析檢測(cè)方案，采用450 nm激光選擇性激發(fā)鈣鈦礦頂電池，850 nm激光激發(fā)硅底電池。

鈣鈦礦層贗J-V

Si 層贗J-V

能夠獨(dú)立獲取各子電池的PL強(qiáng)度成像、QLFS成像及贗J-V曲線成像，得到硅電池和鈣鈦礦層各自的Voc、Jsc、缺陷分布、暗電流，以及理想填充因子和功率轉(zhuǎn)化效率，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)鈣鈦礦和硅子電池的性能解耦分析。

系統(tǒng)集成PL、EL、TRPL、PLQY、QLFS、光電流、光電壓成像，通過(guò)贗J-V成像技術(shù)在微觀尺度直接解析

1、光電轉(zhuǎn)換參數(shù)分布

具備填充因子（FF）、功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）、二極管理想因子（Nid）、隱含開(kāi)路電壓（iVoc）、電流提取效率（φ）的空間成像功能。

調(diào)控激光功率測(cè)試贗 J-V成像：

Fig. (a)光學(xué)PCE; (b)填充因子(Fill factor); (c)二極管理想因子(Nid);(d)隱含開(kāi)路電壓(iVoc) 成像

調(diào)控負(fù)載測(cè)試贗 J-V成像：

Fig. (a)不同負(fù)載下的PL強(qiáng)度成像; (b)隱含開(kāi)路電壓(iVoc); (c)填充因子(FF); (d)電流提取效率(φPL); (e) 相對(duì)PCE成像; (f)不同點(diǎn)贗J-V曲線對(duì)比

2、 載流子動(dòng)力學(xué)測(cè)試

實(shí)現(xiàn)高分辨熒光強(qiáng)度與壽命成像揭示復(fù)合路徑與擴(kuò)散行為。

高分辨熒光強(qiáng)度、熒光壽命成像：

Fig. (a) 鈣鈦礦薄膜熒光強(qiáng)度成像； (b) 鈣鈦礦薄膜熒光壽命成像； (c) A, B兩點(diǎn)的衰減曲線對(duì)比; (d,e) 熒光強(qiáng)度成像及典型截面的強(qiáng)度分布曲線

3、 QFLS-光學(xué)J-V關(guān)聯(lián)分析

將PL強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為內(nèi)部電壓（Vint），擬合獲得空間分辨J-V曲線、串聯(lián)電阻（RS）及局部PCE。

QFLS-光學(xué)J-V關(guān)聯(lián)成像：

Fig. (a)開(kāi)路條件下的QFLS成像; (b)最大功率點(diǎn)條件下的QFLS成像; (c)最大功率點(diǎn)條件下的串聯(lián)電阻成像；(d)PCE成像 

4、 光電流成像

通過(guò)激光掃描激發(fā)器件，該系統(tǒng)可同步測(cè)量空間分辨的短路電流分布，實(shí)現(xiàn)直接可視化載流子收集效率的非均勻性，定位死區(qū)、裂紋或界面?zhèn)鬏斊款i。

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電流成像（Photocurrent mapping）用于表征電池微觀性能的不均勻性，它通過(guò)測(cè)量電池在光照下產(chǎn)生的局部電流分布，直觀展示電池的缺陷區(qū)域、晶界效應(yīng)及工藝瑕疵，為鈣鈦礦電池的失效分析、工藝改進(jìn)及機(jī)理研究提供了不可替代的微觀視角。

5、電致發(fā)光（EL）強(qiáng)度成像

在玻璃面成像避免電極zd器件，在不同偏壓下測(cè)量非輻射復(fù)合導(dǎo)致的EL光子空間分布，可定量反映工作狀態(tài)下復(fù)合活性與缺陷密度。

· 光源系統(tǒng)：LED面光源（450/532/850/900 nm，強(qiáng)度動(dòng)態(tài)范圍10-2-2 suns）與激光光源（405/450/532/850 nm等）靈活配置，滿(mǎn)足鈣鈦礦電池/器件及疊層電池多種表征需求。

· 超快檢測(cè)：時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)(TCSPC)模塊儀器響應(yīng)函數(shù)（IRF）≤230 ps，光譜分辨率達(dá)0.14 nm（300 mm單色儀），單光譜采集最快5 ms；

· 兼容外場(chǎng)調(diào)控：兼容低溫、高壓環(huán)境，支持激光/樣品掃描模式，適用鈣鈦礦、硅基及疊層電池（≤2 cm）。

該系統(tǒng)的核心突破在于將QFLS成像與疊層獨(dú)立檢測(cè)深度融合，具備重要的科學(xué)與產(chǎn)業(yè)意義。

1. 根源性診斷：從準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分布直指電壓損失本源，指導(dǎo)缺陷鈍化與界面工程設(shè)計(jì)；

2. 工藝精準(zhǔn)調(diào)控：亞微米級(jí)參數(shù)分布圖為涂布、沉積等工藝的均勻性?xún)?yōu)化提供實(shí)時(shí)反饋；

3. 疊層研發(fā)加速：子電池獨(dú)立性能歸因分析，破解鈣鈦礦/硅、全鈣鈦礦疊層的電流匹配與能級(jí)對(duì)齊難題；

4. 全壽命周期分析：結(jié)合光/電/壽命多維成像，揭示老化、光照下的性能衰減機(jī)制。